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SI5402BDC-T1-GE3 |
8-SMD,扁平引线 | Vishay Siliconix | 12168 | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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SI5402BDC-T1-GE3参数 产品类别:分立半导体产品-FET - 单 说明:MOSFET N-CH D-S 30V 1206-8 包装数量:3000 包装形式:带卷 (TR) PDF资料下载: ![]() FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss):30V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.9A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):35 毫欧 @ 4.9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):- 功率 - 最大值:1.3W 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: LED - 分立式LTL-10224W Card EdgeEEM43DRTI 圆形 - 外壳DJT16E11-5BN Card EdgeEMC65DRTH 压力P51-200-A-B-I36-20MA-000- Card EdgeEMA24DRMI AC DC 转换器MP6-1L-1N-1W-00 振荡器CE3392-40.000 PMIC - 稳压AP130-35SAG-7 Card EdgeESC22DREN |